BD139 – Silicon NPN Power Transistor

Podrobný popis

BD139 – Silicon NPN Power Transistor

BD139 je epitaxiálny kremíkový výkonový tranzistor typu NPN určený pre spínacie a zosilňovacie aplikácie. Používa sa najmä v audio zosilňovačoch a budičoch v symetrických alebo kvázi-symetrických zapojeniach, často v kombinácii s komplementárnym tranzistorom BD140.

Hlavné parametre:

• Typ: Silicon NPN
• Kolektor–emitor napätie (Vceo): 80 V
• Kolektor–báza napätie (Vcbo): 80 V
• Kolektorový prúd (Ic): 1,5 A (max)
• Špičkový kolektorový prúd (Icm): 3 A
• Stratový výkon (Ptot): 12,5 W (Tc ≤ 25 °C)
• DC zosilnenie prúdu (hFE): 25 – 250 (pri Ic = 150 mA, Vce = 2 V)
• Prechodová frekvencia (fT): typ. 50 MHz
• Tepelný odpor spoj–chladič: 10 °C/W
• Maximálna teplota spojov: 150 °C
• Púzdro: TO‑126 (SOT32)