H25R1203 – Výkonný IGBT tranzistor 1200V / 25A
Kód: 860
Cez 3000 výdajných miest
po celom Slovensku
.png?688cf5e7)
Osobný odber zdarma
Vyzdvihnite si tovar u nás a ušetrite
.png?68a7825e)
Doprava zdarma nad 35 €
Pri nákupe nad 35 € neplatíte za dopravu
Podrobný popis
Technické špecifikácie
- Maximálne napätie kolektor-emitor (VCE): 1200 V
- Kontinuálny kolektorový prúd (IC): 25 A pri 100 °C
- Maximálny impulzový kolektorový prúd (ICM): 75 A
- Saturačné napätie (VCE(sat)) pri IC = 25 A a VGE = 15 V: 1.8 V
- Maximálny výkon: 365 W
- Typ puzdra: TO-247
- Prevádzková teplota: -40 °C až +175 °C
- Technológia: TrenchStop™ s monolitickým telom diody
- Vhodné pre paralelné zapojenie: Áno, vďaka pozitívnemu teplotnému koeficientu VCE(sat)
Buďte prvý, kto napíše príspevok k tejto položke.
Pridať komentár