IGBT tranzistor DIW050F065 – 650 V / 50 A

Podrobný popis

IGBT tranzistor DIW050F065 – 650 V / 50 A

Výkonový tranzistor určený pre aplikácie so stredným až vyšším prúdom a napätím do 650 V. Vhodný na spínanie výkonu v priemyselných meničoch, napájacích zdrojoch, solárnych invertoroch a iných výkonových obvodoch.

Technické parametre:

• Typ: IGBT, N-typ, Trench Field-Stop
• Maximálne kolektor-emitorové napätie (Vce): 650 V
• Kontinuálny prúd pri +100 °C: 50 A
• Kontinuálny prúd pri +25 °C: 100 A
• Impulzný prúd: 200 A
• Nasytené napätie Vce(on) pri Vge = 15 V, Ic = 50 A: ~1,65 V
• Rozptýlený výkon (Ptot): 350 W
• Časy spínania pri +25 °C: zapnutie ~25 ns / vypnutie ~120 ns
• Prevádzková teplota spojenia (Tj): –55 °C až +175 °C
• Typ púzdra: TO-247-3, montáž cez dosku (Through-Hole)