Výkonový IGBT tranzistor H30R1203
Kód: 1135
Cez 3000 výdajných miest
po celom Slovensku
.png?688cf5e7)
Osobný odber zdarma
Vyzdvihnite si tovar u nás a ušetrite
.png?68a7825e)
Doprava zdarma nad 35 €
Pri nákupe nad 35 € neplatíte za dopravu
Podrobný popis
H30R1203 GDH915 – výkonový IGBT tranzistor (TO-247)
Spoľahlivý výkonový IGBT, ideálny pre priemyselné aplikácie s vysokým napätím a prúdom.
Technické parametre:
- Typ: IGBT s integrovanou spätnou diódou
- Označenie: H30R1203
- Maximálne napätie kolektor-emitor: 1200 V
- Maximálny kolektorový prúd: 60 A (pri 25 °C)
- Maximálne disipačné teplo: 349 W
- Saturácia napätia (typická): 1,55 V (pri 25 °C)
- Maximálne napätie brány-emitor: ±20 V
- Teplotná odolnosť (junction): T = 175 °C
- Gate náboj: 263 n
- Výstupná kapacita: 68 pF
- Technológia: TrenchStop™ – robustné prepínanie so stabilnými parametrami
- Obal: TO-247, vhodný na montáž na chladič, obsahuje monolitickú spätnú diódu
Buďte prvý, kto napíše príspevok k tejto položke.
Pridať komentár