K50EH5 IGBT tranzistor N‑kanálový 650V / 50A
Kód: 74
CEZ 3000 VÝDAJNÝCH MIEST
Pohodlné doručenie po celom Slovensku
Osobný odber zadarmo
Vyzdvihnite si tovar v predajni v Petržalke
Doprava zdarma nad 35 €
Pri nákupe od 35 € dopravu neplatíte
Podrobný popis
Infineon IKW50N65H5 („K50EH5“) TrenchStop™ 5 IGBT s RAPID 1 diódou
-
Max. kolektor‑emitor napätie VCES 650 V
-
Kontinuálny kolektorový prúd IC: 50 A
-
Pulzný kolektorový prúd IC,pulse (10 ms): 80 A
-
Saturácia V<sub>CE(sat) typ.: 1,65 V (I<sub>C</sub>=25 A, V<sub>GE</sub>=15 V)
-
Max. gate‑emitor napätie VGE: ± 20 V
-
Max. rozptyl výkonu PC: 305 W
-
Junction‑case tepelný odpor RθJC: 0,39 K/W
-
Prevádzková tep. junction Tj: −55 … +175 °C
-
Púzdro: PG‑TO247‑3 (TO‑247)
-
Technológia: TrenchStop™ 5 IGBT + RAPID 1 antiparalelná dióda
Diskusia
Buďte prvý, kto napíše príspevok k tejto položke.