H30R1203 IGBT Tranzistor 1200V / 60A
Kód: 1135
CEZ 3000 VÝDAJNÝCH MIEST
Pohodlné doručenie po celom Slovensku
Osobný odber zadarmo
Vyzdvihnite si tovar v predajni v Petržalke
Doprava zdarma nad 35 €
Pri nákupe od 35 € dopravu neplatíte
Podrobný popis
H30R1203 GDH915 – výkonový IGBT tranzistor (TO-247)
Spoľahlivý výkonový IGBT, ideálny pre priemyselné aplikácie s vysokým napätím a prúdom.
Technické parametre:
- Typ: IGBT s integrovanou spätnou diódou
- Označenie: H30R1203
- Maximálne napätie kolektor-emitor: 1200 V
- Maximálny kolektorový prúd: 60 A (pri 25 °C)
- Maximálne disipačné teplo: 349 W
- Saturácia napätia (typická): 1,55 V (pri 25 °C)
- Maximálne napätie brány-emitor: ±20 V
- Teplotná odolnosť (junction): T = 175 °C
- Gate náboj: 263 n
- Výstupná kapacita: 68 pF
- Technológia: TrenchStop™ – robustné prepínanie so stabilnými parametrami
- Obal: TO-247, vhodný na montáž na chladič, obsahuje monolitickú spätnú diódu
Diskusia
Buďte prvý, kto napíše príspevok k tejto položke.